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FFP08S60S — STEALTH? II Diode
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
2
www.fairchildsemi.com
FFP08S60S Rev. C1
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Notes:
1. Pulse : Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Test Circuit and Waveforms
Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
VF1
IF
= 8 A
IF
= 8 A
TC
= 25
?C
TC
= 125
?C
-
-
2.1
1.6
2.6
-
V
V
IR1
VR
= 600 V
VR
= 600 V
TC
= 25
??C
TC
= 125
?C
-
-
-
-
100
500
?A
?A
trr
IF
=1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR= 30 V TC
= 25
?C- - 25 ns
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
=8 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR = 390 V TC
= 25
?C-
19
-
2.2
-
-
0.6
21
30
-
-
-
ns
A
nC
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
=8 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR= 390 V TC
= 125
?C-
-
-
-
58
4.3
1.3
125
-
-
-
-
ns
A
nC
WAVL
Avalanche Energy (L = 40 mH) 20 - - mJ
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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